第266章 制程路线之争 （上）
第266章 制程路线之争 （上） (第1/3页)
光刻机是晶圆生产线中最为核心的生产设备，发展历程也是经过了数代的更迭。
如果以大规模商业性应用为标准线，大体上看，六十年代是接触式光刻机、接近式光刻机的时代，到七十年代光刻机设备主流更新到了投影式光刻机，八十年代更新到步进式光刻机，九十年代更新到步进式扫描光刻机，新世纪初期浸入式光刻机大行其道。
二十一世纪之后，得益于华人科学家林本坚博士的光刻胶上方加水创意，忽然获得大绝招的ASML以侵入式光刻机一举把日系光刻机厂商从云端打入尘埃，只用了不到几年时间就垄断了全球70%的光刻机市场。
由于光本质是波的缘故，在微观物理世界波长越短的光精度就越高，换句话说光的波长越短，在晶圆上刻下的线就越细。
早期的摩尔定律是预言集成电路密度每年翻倍，直到1975年摩尔定律才改成未来人尽所知的每十八个月。
根据瑞利公式：CD=k1*(λ/NA)，其中CD代表着曝光尺寸或者叫做光刻的最小尺寸，比如5.0微米、3.0微米什么的，甚至直接代指晶圆生产线的技术标准，K1代表着干扰降低光刻尺寸的综合因素，比如光刻胶，比如车间环境供电电压等等。
NA代表着镜头的数值孔径这玩意的学术描述比较复杂，简单的说就是NA值越大透光越多分辨率越高。
λ这玩意经过义务九年的都知道，代表着光的波长，在公式中波长越低光刻机的精度就越高。
因此实现摩尔定律的前提就是减小K1、λ的数值，搞大NA的数值。
相比磨镜头这种比较坑爹见效很慢的耐心活，缩短光的波长就成了提升光刻机精度最为直接也最为优先的手段。
早期光刻机土鳖的很，基本都是从电影摄像机上改造出来的，曝光光源也比较奇葩从光谱红外端到近紫外段用啥的都有，
不过随着摩尔定律的生效，光源迅速从红外端向紫外端移动，镜头也迅速超越了电影镜头所要求的精度，越来越专业加工越来越难。
时间到了八十年代，光刻机的主流光源开始使用高压汞灯，其波长为365nm产业界管这玩意叫～ i-line。
九十年代初期，光刻机的精度进入到1.0微米以下之后，高压汞灯所提供的356nm波长就显得很大了，因此KrF 激光器成了光刻机的主流光源，其产生的248 nm波长的光源足够把晶圆生产线的线宽推进到纳米时代。
九十年代中期，随着晶圆生产线线宽的进一步降低，193nm波长的 DUV 激光开始崭露头角，Duv激光也是著名的ArF准分子激光，包括治疗近视眼手术在内的多种跨行业工程应用都使用这种激光，相关激光发生器和光学镜片等技术都比较成熟。
在电子产业庆幸193nm光源由于应用范围极广导致研发成本降低的愉悦压根就没享受几天，光刻光源的缩短之旅直接被卡在193nm无法进步。
从九十年代中期开始，直到梁远偷渡之前，光刻机的光源一直维持在193nm已经接近二十年，可以说直到某人偷渡位面那一刻，全球所有主流手机、电脑、平板、超级计算机、显卡、路由器的主芯片仍旧是193nm光源
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