第277章 EUV光刻机与DUV光刻机！
第277章 EUV光刻机与DUV光刻机！ (第2/3页)
UV光刻机是怎么获得突破的也罢了，知道正确研发方向后肯定能快速出结果。
但问题是林晨前世并没有深入了解学习过光刻机的技术知识，也不知道前世阿思麦公司是如何解决EUV光刻机的诸多技术难题。
在这种情况下曙光科技如果真的研发EUV光刻机，那难度相当之大，几年的时间内都可能出不了结果。
所以曙光科技才会想着研发更容易出结果的第五代浸没式光刻机，而不是研发实际几年内都有可能落地不了的第六代EUV光刻机。
当然最重要的原因是第五代浸没式光刻机实际已经够用了，第五代浸没式光刻机技术理论上最高能生产7纳米的芯片。
这7纳米的芯片是真正的7纳米的芯片栅极长度，并不是前世那样号称7纳米芯片，实际却是修改算法自欺欺人搞营销的7纳米芯片。
在前世制程工艺虚标最夸张的就是三惺的制程工艺，他们曾经用新算法将10纳米制程工艺定义为7纳米制程工艺。
结果前世的稿通公司还真信了，直接大喜的让三惺为稿通生产7纳米手机芯片。
结果假的终究是假的，“稿通大火龙处理器”之名传遍了全球，直接让稿通手机处理器的市场份额迎来重大的跌幅萎缩。
而被三惺坑惨的稿通公司自然就是脸色一黑，稿通掌门人更是公开宣布从此不再找三惺代工芯片。
也就从此开始，三惺在半导体代工行业迎来了毁灭式打击一从此蹶不振。
所以在这种情况下，最高能生产7纳米芯片的第五代浸没式光刻机实际已经够用了。
在未来十几年的时间里，曙光科技没有必要将重心放在第六代EUV光刻机上面。
所以此时的夏科院与曙光科技联合研发团队要是成功绕过阿思麦与台积店的技术专利，然后研发出自己的第五代浸没式光刻机技术。
那接下来十数年的时间里，他们只要不停攻克材料技术与加工精度技术与检测技术。
那大夏的芯片制程工艺就会突破65纳米、45纳米、32纳米……最高达到7纳米芯片的级别。
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