第250章，钩子和计划（求订阅）
第250章，钩子和计划（求订阅） (第1/3页)
“好的，老陈，知道了，这就起飞！”
薛晋权头也不回地应了一声。
他也在看着显示器，因为此时只有无人机上面搭载的镜头，才能够让他看清楚前方的情况。
无人机目前搭载了三个固定位摄像头和一个可以旋转的主摄像头。
目前是在三百米的高空飞行，加上它看着就像一个相对大号的庞然大物，相信那些飞鸟应该不会想不开来攻击它吧？
特别是游隼这样的中型猛禽，它是最有可能袭击无人机的鸟类之一。
还有老鹰这样的鸟类也同样如此。
“国华，你今天怎么跑来这里了？害我找你找了好久”
越野车的帐篷外面，邱宗岳把脑袋探了进来，满脸的好奇。
陈国华闻言，顿时笑着站起来说道：
“领导，您怎么还找到这里来了？是有什么急事吗？”
他确实是没想到邱宗岳会追来基地这边，毕竟最近好像也没有什么大事吧？
难得今天是个好日子，所以他才会带着研究员来到基地这边进行测试。
只不过，现在看来他是没办法一直全程参与到测试当中了。
邱宗岳带走了陈国华，就在旁边不远处的树林里，除了警卫员和龙康侯在附近之外，就没其他人了。
两人站着聊天，陈国华听着邱宗岳陈述关于光刻机订货的数量和收上来的资金，脸上也是挺吃惊的。
包括德州仪器、克雷公司、西门子公司、斯特沃克公司、索尼公司等一众电子产品相关企业在内，他们全都订购了光刻机。
他们都支付了货款，似乎不怕华润公司不给货，又或者是不怕华润公司给的光刻机很次。
实际上，他们在订购之前，并没有了解陈国华想要出售的接近式光刻机到底是怎样的。
从良品率上面来说，只要是熟练技术工人，那么良品率绝对可以维持在百分之九十三以上。
985工厂等兄弟单位在前几年有使用过这样一款光刻机，良品率就是在这之上。
并且这台光刻机还能够制造内置一万枚晶体管的芯片，甚至是五万枚晶体管芯片，如果他们拥有这样的技术工艺的话。
芯片是需要设计的，也需要相匹配的离子注入设备才行，并不是说拥有光刻机就可以制备相对应的芯片了。
众所周知，芯片的生产过程有四大步骤，芯片设计、晶圆制造、制造加工、封装测试。
第一步就是芯片的设计，这個是非常重要的工艺技术之一，十分关键的一步。
设计师需要根据芯片的功能、性能、功耗等要求，使用专业的软件工具来绘制芯片的电路图和版图，进行仿真、验证和优化。
在六十年代这个时间点，呵呵，这一步骤是被很多人给省略掉了。
为什么？
因为这个时候的电子产品还不多，不管是计算机微处理器里面的芯片，还是存储器里面的芯片，其实都是大同小异。
或者说，他们根本都没有进行细分这些问题。
振华研究所从一开始就已经是明确了这些，所以在存储器层面就已经进行了芯片优化设计。
关于这一点，IBM公司他们虽然也从华悦计算器和华欣收音机等，了解到其中的差异。
但由于技术壁垒，以及没有申请这样的技术专利，也没有引起他们的密切关注。
还有就是数字信号处理芯片，他们也同样缺少相对应的理论基础和技术，因此IBM公司的温克尔曼和首席技术专家麦克道尔，以及克雷公司的哈利法克斯和艾德贝特等人都还在头疼如何突破这些技术。
其次便是振华研究所开发出来的这些产品当中，技术工艺都是相对落后的，连闪存技术都没有使用，其存储器芯片内的字节也是少的可怜那种。
就比如之前六月份推出去当展示的兵乓游戏街机，只有一百二十八字节的随机存储内存和六千字节的随机存取存储器。
所以它的芯片设计工艺，跟IBM公司他们的芯片设计工艺，看起来就没有多大的差异。
毕竟内存字节，太少了，没有碾压性的优势。
当然了，几年前流行的磁芯板这样的存储器，已经是过时了，毕竟二者之间技术工艺不在同一个时代。
计算机是需要缩小尺寸，而不是延续以前的大房子似的计算机。
第二步是晶圆制造，这是最耗费时间的阶段。
晶圆是芯片的基本原材料，它是有单晶硅或其他半导体材料制成的圆形薄片。
而它的制造过程又涉及到了铸造、切割、表面抛光等几个子步骤。
这一步也是耗费的时间成本，也会增加芯片的成本。
毕竟北美等其他地区的人工成本很高，内地的人工成本，那可真是太有优势了。
第三步则是制造加工，这部分是芯片制造的核心部分。
制造加工主要用于完成集成电路中的基本元件，也就是晶体管的制造。
作为核心部分，整个过程就包括了清洗晶圆、氧化、导电金属沉积、光刻和刻蚀等步骤。
根据不同时代的技术工艺，会有不同的工艺区别，其中离子注入设备和光刻机这两大核心设备，就不得不提一下了。
众所周不知，离子注入设备是半导体制程中最为关键的工艺技术，是通过控制离子束的能量和剂量，可以改变材料的性质和结构。
更详细地解释，就是在硅晶圆中加入杂质元素，改变晶圆衬底材料的化学性质，包括载流子浓度和导电类型，但杂质注入会造成晶格损伤，这时需要退火工艺来修复硅晶格激活掺杂后的电晶体。
整个离子注入工艺的流程是离子源、离子加速器、离子质量分析器和扫描系统。
这些步骤，在国外，早已经不是什么稀罕技术了。
早在一九五零年的时候，北美人拉塞尔奥尔和威廉姆肖克莱就已经发明了离子注入工艺，并且后者在一九五四年的时候，就已经申请了这项发明的专利。
所以离子注入也是最早采用的半导体掺杂方法，它跟另一种掺杂方法，成为芯片制造的基本工艺之二。
一九五六年的时候，还是北美人，叫富勒的研究员发明了扩散工艺。
离子注入用于形成较浅的半导体结，扩散用于形成较深的半导体结。
这两种掺杂工艺就像炒菜中添加调味料，它是对半导体材料的“添油加醋”。
少量的其它物质掺进很纯的半导体材料中，使其变得不纯，对于半导体材料来说，其它物质就是杂质，掺入的过程就称为掺杂。
掺杂是将一定数量的其它物质掺加到半导体材料中，人为改变半导体材料的电学性能的过程。
除了离子注入设备之外，还有就是光刻机。
但是在提光刻机之前，不得不说一下结型场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管这两者的区别了。
原时空历史上，一九五九年的时候，贝尔实验室的韩裔科学家江大原和马丁艾塔拉发明了金属氧化物半导体场效应晶体管。
这是第一个真正的紧凑型，也是第一个可以小型化并实际生产的晶体管，因为它可以代替大部分结型场效应晶体管，对电子行业的发展有着深远的影响。
这个时空，陈国华比对方更早地发明了这样的晶体管，但也没有早多少天。
也因此，一九五九年这一年，陈国华研发晶体管计算机之后，这才开启了晶体管尺寸缩小工艺的发展之路。
众所周不知，电压控制的场效应晶体管是一种使用电场效应改变器件电性能的晶体管。
主要用于放大弱信号，主要是无线信号，放大模拟和数字信号。
同时它又分为结型场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管，这两者也都主要用于集成电路，并且在工作原理上非常相似。
其中结型场效应晶体管是最简单的场效应晶体管，其中电流可以从源极流到漏极或从漏极流到源极。
而金属氧化物半导体场效应晶体管是一种四端半导体场效应晶体管，由可控硅氧化制成，所施加的电压决定了器件的电导率。
由于其高输入阻抗而在集成电路中起着至关重要的作用，它们主要用于功率放大器和开关，同时作为功能元件，金属氧化物半导体场效应晶体管在嵌入式系统设计中也是非常重要的。
二者的区别，就是结型场效应晶体管只能在耗尽模式下工作，反之金属氧化物半导体场效应晶体管可以在耗尽模式和增强模式下工作。
此外，结型场效应晶体管的高输入阻抗约为1010欧姆，这使其对输入电压信号敏感。
金属氧化物半导体场效应晶体管提供比结型场效应晶体管更高的输入阻抗，这得益于金属氧化物绝缘体，使得它们在栅极端的电阻更高。
简单来说，相比结型场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管的优点在于耐压更高、泄露电流更小、输入阻抗更大。
所以不管如何，两者有相似的电性特点，但金属氧化物半导体场效应晶体管在大多数方面性能更优，是电路升级换代的首选器件！
接下来就是光刻工艺了，它是芯片制造的灵魂技术。
原时空的历史上，在一九五八年的时候，仙童半导体公司的诺伊斯、戈登摩尔等八叛逆，从照相机商店购买了三个16毫米镜头。
他们制作了一个步进和重复照相装置，用来制作掩膜，并且对掩膜板、光刻胶进行了改进。
这就是最原始的单个晶体管制造工艺。
华润公司出售的众多晶体管，便是这样的工艺制造出来的。
当然，振华研究所在后续制造出来的微米级别晶体管，自然是使用了其他工艺，而不是这样简陋工艺。
在原时空的历史上，仙童半导体的罗伯特诺伊斯在一九五九年的时候，就提出过一个技术设想：
“既然能用光刻法制造单个晶体管，那为什么不能用光刻法来批量制造晶体管呢？”
“把多种组件放在单一硅片上将能够实现工艺流程中的组件内部连接，这样体积和重量就会减小，价格也会降低。”
也因此，仙童半导体公司这才开始将光刻工艺尝试应
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