第131章 十倍精度光刻
第131章 十倍精度光刻 (第1/3页)
纪弘也很头疼，产能怎么挤？巧妇也难为无米之炊！
最关键的自然不是零部件这种东西，而是光刻机。
不说别的，在限制一次又一次的加码之后，国内现在能够进口的最先进的光刻机是1980di，曝光精度是38nm的那款。
主要用于28nm、14nm制程，多重曝光的情况下，也能制造7nm芯片。
更高级别的已经完全不能出货了。
哪怕是1980di，现在要买也只有理论上的可能。现有的都是存量，都是有数的——华为的先进工艺，就是用这款光刻机采用多重曝光工艺生产的。
等效5nm，算是把这台光刻机压榨到了极限。
而国内生产已经投入商用的光刻机，是分辨率90nm的沪上微电子的SSA600/20。
回到家里，纪弘在书房，也是一样一样的在整理着国内的产业现状，心里也在思索一个可行的方案。
在他心里，王华新院士那边，超爆分辨率光刻机结合类思维AI大概率是可以瞬间解决问题的，目前这个型号的光刻机大约有十六台。
但，不管是否能行，都不能把鸡蛋放在同一个篮子里。
另一个方案……
他明天约了于总，这需要产业整合。
……
“用1980di生产更高工艺级别的芯片？做到台积电N5P的密度？能效比也要追上？”
纪弘一发邀请，于东立即就来了，不为别的，就为手机系统集成大小核与多线程智慧调度模块的开发已经完成。
但见面第一個问题，直接就把于东给搞懵了。
华为这两年一直在回避工艺这个问题，无论是去年的9000s和其一系列衍生物，还是今年即将发布的新的芯片，都不会对外公布工艺。
所谓等效7nm，等效5nm之类的，都是拆机爱好者用电子显微镜Decode之后计算出来的。
但是自家人知自家事儿，性能、功耗、工艺三者之间的桎梏是没那么容易打破的。
就比如9000s，调校激进一些不是问题，但功耗立即就会控制不住，发热和耗电都会严重，这就是工艺过低带来的弊端。
这两年，一直在这个工艺上修修补补，说是等效5nm了，但是能效比跟真正的5nm相去甚远。
而且，华为自认为在现有的硬件设备条件下，这台光刻机进步的空间已经被压榨干净了——除非EUV研发成功，否则，麒麟芯片的硬件性能想要再提升，已经非常困难了。
所以，他们才会对卷耳智能科技的多线程大小核调度模块如此的上心——性能不
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