第316章 碲汞镉，启动
第316章 碲汞镉，启动 (第3/3页)
不停蹄的生产单晶炉，扩大产能。
他想不到的是，高振东不但知道有这东西，他还有这玩意的晶格常数、密度、Te-Cd-Hg三元相图、HgTe-CdTe伪二元相图、较为准确的分凝系数、热学性质、汞蒸汽压、电学性质等等一系列十年几十年后的数据和成果。
这么说吧，哪怕是HgCdTe在1959年的发明者，都没有高振东手上的资料来得齐全和准确。
虽然不知道高振东信心从何而来，但他不是傻子，高主任完全没必要拉着自己开玩笑，他没有多犹豫：“高主任，你说怎么干就怎么干。”
高振东笑了：“行，不过这个东西你要有心理准备，不是一天两天能搞得成的，整个流程非常漫长，一次试验，可能要用几个月乃至半年才能搞完。”
由于汞蒸汽压等等原因，碲汞镉的晶体生长非常困难，不论是体晶体还是薄膜晶体，虽然办法很多，但是都挺麻烦的，晶体生长缓慢不说，而且退火等工艺要求高时间长，动不动就是几十天几十天的搞。
这就让整个试验耗日持久，不是有决心有毅力的人，搞不下来。
对于这个，俞允成无所谓，时间长点就长点，再说了，高主任可能是因为水平高，所以眼界也高。
在俞允成看来，半年做一次试验算什么问题，这种东西别说搞出晶体来了，就是先把化合物搞出来，能证实一些东西就算是重大突破了。
所以说和高主任干事儿，成就虽然高，可是压力也不小啊。
“高主任，这个伱不用担心，寂寞这东西，我们还是耐得住的。”
高振东点点头，其实他们也不用怎么担心，高振东在制备方法的选择上，还是很讲究的，选择的是一种工艺最为简单，对设备要求最低的，而且温控要求低，最重要的是，不需要晶体生长控制机构这个最为麻烦的东西。
偏偏这种办法长出来的晶体，组分均匀，结构很好，可以用于探测器级别元件的生产，而且晶体利用率很高。
当然，这玩意也不是没缺点，晶体直径小，高温缺陷多，杂质未提纯等等，但是这些对于现阶段来说，这些都不是问题。
晶体直径小，我搞线扫描的，弄长一点就好，又不是要一个圆形的平面。
至于为什么高振东很快就选定这个办法，原因也比较简单，这东西是日后几十年花旗国量产碲汞镉探测元件，最主要的晶体生长方法。
不得不说，在这方面，花旗严选还是值得信赖的。
不过这个时候，还没到把方法都拿出来的时候，现在首要的任务是，把项目批下来。
见俞允成毫不犹豫，高振东也没有拖泥带水，马上把一部分材料交给他：“那就行，你先根据这些材料，写一个研究申请，我们打到部里去，按照预先商定的，我们两个单位联合，三轧厂牵头，1761所落地。至于具体的方法这些就不用写上去了，部里应该是理解的。”